在當今半導體制造領域，2.5D/3D 封裝技術作為前沿的先進封裝工藝，實現(xiàn)方案豐富多樣。它涵蓋了芯片減薄、芯片鍵合、引線鍵合、倒裝鍵合、TSV、塑封、基板、引線框架、載帶、晶圓級薄膜工藝等多種類型，并且會根據不...
TSV 是先進封裝技術里一種至關重要的垂直互連技術，通過在芯片內部打通通道，實現(xiàn)電氣信號的垂直傳輸。這一技術可顯著提高芯片之間的數(shù)據傳輸效率，減少信號延遲，降低功耗，同時提升封裝的集成密度。工作原理TSV 基...
JEDEC在1月為寬I/O移動DRAM發(fā)布的標準使用穿透硅通孔（TSV）在三維（3D）集成電路上連接DRAM和邏輯。憑借其512位寬的數(shù)據接口，在不增加功耗的前提下，JESD229寬I/O單倍數(shù)...
分類：其它 時間：2012-06-01 閱讀：420 關鍵詞：寬I/O標準將推動TSV 3D堆疊性能
近來，隨著嵌入式移動終端和移動通信設備上的應用日益豐富，運算能力和智能化程度的不斷提高，如何讓用戶能在終端設備操作過程中更加簡便、快捷和靈活地使用各種業(yè)務，已經成為嵌入式設備突破的關鍵。堅持以市場為導...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術 時間：2011-09-04 閱讀：2923 關鍵詞：嵌入式
隨著科學技術快速的發(fā)展，電接枝技術在各個當中應用。3D-IC設計者希望制作出高深寬比（HAR>10:1）硅通孔（TSV），從而設計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，...
分類：其它 時間：2011-08-28 閱讀：2038
ST推出電池供電設備用寬帶CMOS輸入運算放大器TSV911
ST推出兩個新系列的軌對軌高帶寬增益積(GBP)的運算放大器，新產品的速度電流比十分優(yōu)異，采用節(jié)省空間的緊湊型封裝，可滿足傳感器信號調節(jié)以及電池供電和緊湊型便攜應用的需求。TSV911/2/4系列提供8MHz的增益帶寬積...
分類：模擬技術 時間：2007-08-02 閱讀：2330 關鍵詞：ST推出電池供電設備用寬帶CMOS輸入運算放大器TSV91110008MHZ20MHZSO14TSSOP14SOT23-5
